Ako spínať indukčnú záťaž 24V=?
Martin Kurka:
TO: kolegové Fuk, Dolac
Citace: Fuk Tomáš 03.12.2009, 22:35
Asi jsem nějak mimo. V přiloženém obvodu přece není interní dioda v FETu žádným proudem namáhána, ne?
Máte pravdu oba. Pokud není zhášecí dioda přes cívku rychlá, tak než se v ní probudí minoritní a majoritní nosiči, schytá první největší nápor rychlá Schottkyho dioda ve FETu.
TO: pan Mátik
Asi máte Internet, že? ;) Takže pro příště doporučuji si zadat do děda Vševěda Googla "cena IPS521". V Čechách vylezou e-shopy Starmans a Alfatronic s kusovou cenou kolem 100Kč.
http://www.semic-shop.cz/semic-shop-cz/eshop/1-1-polovodice/112-4-high-side-diskretni/5/100007724-IPS521
http://www.rs-components.cz/zbozi.php?num_all=668&POCETMAX=450&Trideni=JmenoZbozi&KID=171
Dá se to koupit ve větších baleních i přímo od IR.
Nezapomeňte, že dělají i typy pro jiná napětí a proudy, které mohou být pro vás výhodnější, nebo dostupnější.
Citace: Ján Mátik 04.12.2009, 11:18
Nakoniec to asi ostane na 24V cievkach a SSR, bude to najschodnejsie riesenie.
A hlavně nejrozumnější a pokud to nebudete vyrábět velkosériově, tak i dlouhodobě nejlacinější. Jinak se můžete stát součástí zařízení a doživotním údržbářem, jako Hanuš na orloji. SSR v patici na DIN liště si vymění každý údržbář, který umí číst.
Jan Kelbich:
Citace: Martin Kurka 04.12.2009, 12:01
TO: kolegové Fuk, DolacMáte pravdu oba. Pokud není zhášecí dioda přes cívku rychlá, tak než se v ní probudí minoritní a majoritní nosiči, schytá první největší nápor rychlá Schottkyho dioda ve FETu.
Ano, ale bude to (alespoň primárně) nápor napětí, ne proudu. Schottkyho dioda ve FET je totiž vzhledem k impulsu z cívky relé polarizována v závěrném směru.
Takže, pokud neudrží napětí impulsu - což je dost možné, při tak rychlém odpojení indukční zátěže - prorazí se, násleně projde proud (ten bude odpovídat, alespoň řádově, proudu cívky těsně před rozpojením) a uvolní se výkon dostatečný na zničení diody ve FET.
Fuk Tomáš:
Citace: Martin Kurka 04.12.2009, 12:01
TO: kolegové Fuk, DolacMáte pravdu oba. Pokud není zhášecí dioda přes cívku rychlá, tak než se v ní probudí minoritní a majoritní nosiči, schytá první největší nápor rychlá Schottkyho dioda ve FETu.
Však taky proto jsem kdesi vpředu psal, že ta zhášecí dioda je potřeba rychlá, Schottkyho.
Trochu mě zmátlo, že mezinárodní distributor Farnell ten IPS521 vyřadil ze své nabídky, což by mohlo naznačovat nahrazení něčím jiným. Ale také to nemusí znamenat vůbec nic.
Citace: Jan Kelbich 04.12.2009, 12:28
Ano, ale bude to (alespoň primárně) nápor napětí, ne proudu. Schottkyho dioda ve FET je totiž vzhledem k impulsu z cívky relé polarizována v závěrném směru.
Takže, pokud neudrží napětí impulsu - což je dost možné, při tak rychlém odpojení indukční zátěže - prorazí se, násleně projde proud (ten bude odpovídat, alespoň řádově, proudu cívky těsně před rozpojením) a uvolní se výkon dostatečný na zničení diody ve FET.
Však také v data sheetu bývá dokonce uvedeno, jak silný opakovatelný/neopakovatelný lavinový průraz to snese.
Martin Kurka:
Citace: Jan Kelbich 04.12.2009, 12:28
Ano, ale bude to (alespoň primárně) nápor napětí, ne proudu. Schottkyho dioda ve FET je totiž vzhledem k impulsu z cívky relé polarizována v závěrném směru.
Takže, pokud neudrží napětí impulsu - což je dost možné, při tak rychlém odpojení indukční zátěže - prorazí se, násleně projde proud (ten bude odpovídat, alespoň řádově, proudu cívky těsně před rozpojením) a uvolní se výkon dostatečný na zničení diody ve FET.
(poklona) , tak je to přesné, jde o lavinový proud v závěrném směru, protože jinudy než přes závěrný směr diody nebo FETu ten proud projít nemůže a tak tudy projít musí. Situace je o to nepříznivější, že se k indukovanému napětí cívky přičítá napětí zdroje. Překreslil jsem to z hlediska reálného zapojení, neboť ve strojních zařízeních je jedna strana cívky ukostřená na (-) zdroje a spíná se z (+) pólu na spotřebič. Vpravo je situace, kdy pomalá dioda ještě nevede indukovaný proud.
Z toho plyne poučení, že nezhášená cívka je vražda a cívka zhášená normální a ne rychlou diodou je kvalifikovaný pokus o vraždu polovodiče.
dolac:
Citace: Fuk Tomáš 03.12.2009, 22:35
Asi jsem nějak mimo. V přiloženém obvodu přece není interní dioda v FETu žádným proudem namáhána, ne?
Pokiaľ sa nemýlim, tak interná dióda tranzistoru nie je ani tak obyčajná rýchla dióda, ale je to transil. Veď aj značku má podobnú. Preto aj ten parameter: "Single Pulse Avalanche Energy resp. Repetitive Avalanche Energy"
Tým že použijete externý transil, jednak zvýšite túto energiu a jednak šetrite tranzistor. Transil sa vyznačuje tým, že dokáže vo veľmi krátkom čase pohltiť obrovský výkon, ale energia je tu obmedzená. Preto aj ten parameter. Prúd naakumulovaný v indukčnosti sa samozrejme vybije do diódy paralelnej s ind., ale treba si uvedomiť, že žiadná cievka nie je idealná indukčnosť, ale má aj kapacitu a preto pri je spínaní vznikajú kmitajúce prechodné deje a napätie na tranzistore by mohlo prekročiť medznú hodnotu a došlo by k prierazu.
Navigace
[0] Index zpráv
[#] Další strana
[*] Předchozí strana